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1. Identificação
Tipo de ReferênciaRelatório (Report)
Sitemtc-m21c.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador8JMKD3MGP3W34R/432M9QP
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m21c/2020/08.07.12.53
Última Atualização2020:08.07.12.53.27 (UTC) simone
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m21c/2020/08.07.12.53.27
Última Atualização dos Metadados2022:07.08.21.07.41 (UTC) administrator
Chave de CitaçãoMatrellaAbra:1996:SiEfHa
TítuloSistema de efeito hall automatizado dependente com a temperatura
Ano1996
Data de Acesso25 maio 2024
TipoRPQ
Número de Páginas8
Número de Arquivos1
Tamanho6416 KiB
2. Contextualização
Autor1 Matrella, Celso Ferreira
2 Abramof, Eduardo
Grupo1
2 LAS-CTE-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA)
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
InstituiçãoInstituto Nacional de Pesquisas Espaciais
CidadeSão José dos Campos
Histórico (UTC)2020-08-07 12:53:27 :: simone -> administrator ::
2022-07-08 21:07:41 :: administrator -> simone :: 1996
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Palavras-Chavesistema hall
ResumoDurante este trabalho foi Implementado um sistema para medidas de efeito Hall e resistividade dependente com a temperatura completamente automatizado. O sistema montado permite a determinação da resistividade, concentração de portadores e mobilidade Hall de materiais de natureza metálica, semicondutora ou isolante, da temperatura ambiente até 13K. A amostra a ser caracterizada é montada em um criostato de circuito fechado de He com 4 contatos na geometria Van der Pauw ou com 6 contatos na geometria Hall. Um "software" para controle do sistema de medidas de efeito Hall e resistividade foi desenvolvido em linguagem objeto ("Visual Basic" para ambiente "Windows"), apresentando uma série de vantagens em relação ao anterior, implementado para DOS, As propriedades elétricas de amostras de silício implantadas com bismuto preparadas no Instituto de Física da UFRGS pelo Prof. Joel P. de Souza foram investigadas através de medidas efetuadas no sistema implementado. A resistividade de amostras de Si:Bi com concentrações de doadores variando de 3x10 17 até 2x10 20 cm-3 foi medida em função da temperatura, apresentando uma concentração critica para a transição metal-não metal por volta de 2x10 19 cm-3 . Estes resultados experimentais foram comparados com os calculados pelo modelo de Drude generalizado, apresentando uma excelente concordância. Filmes finos de PbSnTe crescidos sobre substratos de BaF 2 e BaF2 /CaF,/Si pela técnica de epitaxia de feixe molecular também foram carcterizados eletricamente utilizando o sistema desenvolvido.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Sistema de efeito...
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agreement.html 07/08/2020 09:53 1.7 KiB 
4. Condições de acesso e uso
URL dos dadoshttp://urlib.net/ibi/8JMKD3MGP3W34R/432M9QP
URL dos dados zipadoshttp://urlib.net/zip/8JMKD3MGP3W34R/432M9QP
Idiomapt
Arquivo Alvo13620.pdf
Grupo de Usuáriossimone
Visibilidadeshown
Permissão de Leituraallow from all
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Repositório Espelhourlib.net/www/2017/11.22.19.04.03
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
8JMKD3MGPDW34P/478H9J8
Lista de Itens Citandosid.inpe.br/mtc-m16c/2022/07.08.19.55.45 4
DivulgaçãoBNDEPOSITOLEGAL
Acervo Hospedeirourlib.net/www/2017/11.22.19.04
6. Notas
NotasBolsa PIBIC/INPE/CNPq
Campos Vaziosarchivingpolicy archivist callnumber contenttype copyholder copyright creatorhistory date descriptionlevel doi e-mailaddress edition electronicmailaddress format isbn issn label lineage mark nextedition orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup recipient reportnumber resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarykey secondarymark secondarytype session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype translator url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)simone
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